Investigadores de la Universidad de Michigan, en Ann Arbor, lograron demostrar experimentalmente una densidad récord de gas de electrones bidimensional (2DEG) superior a 1×10¹⁴ cm⁻² en una heteroestructura de nitruro de aluminio y galio (AlN/GaN). El hallazgo, reportado por la revista Semiconductor Today el 26 de enero de 2026, marca un avance significativo en el … Sigue leyendo Récord mundial de electrones en semiconductores AlN/GaN